| 低压VDMOS金属层电阻的模拟分析 |
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| 引用本文： | 王立新, 夏洋,. 低压VDMOS金属层电阻的模拟分析[J]. 电子器件, 2008, 31(3): 783-785 |
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| 作者姓名： | 王立新 夏洋 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型,并对此模型进行Hspice模拟,确定了金属层厚度大于5 μm时,金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小.同时提出了双层金属工艺方法,实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀.
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| 关 键 词： | VDMOS Dracula 电阻模型 |
| 文章编号： | 1005-9490(2008)03-0783-03 |
| 修稿时间： | 2007-05-12 |
Simulation and Analysis of Metal Layer Resistance of Low Voltage VDMOS |
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| WANG Li-xin,XIA Yang. Simulation and Analysis of Metal Layer Resistance of Low Voltage VDMOS[J]. Journal of Electron Devices, 2008, 31(3): 783-785 |
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| Authors: | WANG Li-xin XIA Yang |
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| Affiliation: | WANG Li-xin,XIA Yang(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VDMOS dracula resistunce modle |
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