在GaAs外延层——衬底交界面处产生高阻区的原因

为了找出汽相生长 GaAs 外延层和衬底之间交界面处产生高阻区的原因,用改变反应系统中的衬底温度或砷压来生长外延层。也在氢气氛下或 GaCl/As_4/H_2气流里做了衬底热处理实验。甚至当反应达稳定状态以后开始生长时就出现了高阻居。然而单是在氢气中热处理时表面载流子密度变化不大,在 GaCl/As_4/H_2气流中热处理时从未掺杂衬底表面到几乎半绝缘处的变化区域在几微米以内。实验结果好像说明,如果反应系统中的气体腐蚀稍稍超过生长,那么在 GaAs 表面或在交界面处就会产生高阻区。也列出了高阻区的光电响应和光致发光的测定数据。