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| 10GHz 1W GaAs MESFET | |
| 作者姓名： | 陈显萼 张俊杰 罗海云 刘玉贵 |
| 摘 要： | <正> 一、引言自从1966年C. A. Mead提出肖特基场效应晶体管以来,GaAsMESFET作为一种微波器件受到广泛重视。短短十几年来已取得突飞猛进的发展。在4～20GHz的频率范围内,GaAs功率MESFET已被公认为是一种最好的微波功率器件。它具有结构简单、体积小、重量轻、功率大、效率高、线性好、频带宽等优点。在相控阵雷达、卫星和地面通信、电子对抗及卫星直播电视中得到广泛的运用,有着广阔的发展前景。 |
10GHz 1W GaAs MESFET |
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