| 10位逐次逼近型A/D转换器的芯片设计 |
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| 引用本文： | 蔡俊,徐美华,冉峰.10位逐次逼近型A/D转换器的芯片设计[J].半导体技术,2004,29(4):73-76. |
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| 作者姓名： | 蔡俊 徐美华 冉峰 |
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| 作者单位： | 上海大学微电子研究与开发中心,上海,200072;上海大学机电工程与自动化学院,上海,200072 |
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| 摘 要： | 介绍了一种10位、3M sample/s逐次逼近型A/D转换器的设计,描述了具有可变时钟电路结构的有效工作方式.该模数转换器在0.6 μ m双多晶硅、双金属层CMOS工艺上实现,芯片总面积为3.2mm2.转换器采用单5V电源供电,功耗仅为3 5mW.
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| 关 键 词： | A/D转换器 CMOS 双金属层 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)04-0073-04 |
| 修稿时间： | 2003年4月22日 |
Design of a 10Bit successive approximation A/D converter |
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| CAI Jun,XU Mei-hua,RAN Feng.Design of a 10Bit successive approximation A/D converter[J].Semiconductor Technology,2004,29(4):73-76. |
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| Authors: | CAI Jun XU Mei-hua RAN Feng |
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| Affiliation: | CAI Jun1,XU Mei-hua2,RAN Feng1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | A/D converter CMOS double-metal |
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