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| 硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备 | |
| 作者姓名： | 陈庆贵 宋志庆 史日华 蔡希介 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 一、前言由于集成电路和微波半导体器件的发展,要求硅外延片的外延层薄,界面杂质浓度分布陡。通常采用的四氯化硅氢还原法是不能满足这个要求的。硅烷热分解反应法却能满足,因为其反应温度较低(950～1050℃),反应是不可逆的,没有副产物,可减轻自掺杂,能获得很陡的杂质分布,可得到电阻率均匀的1微米左右的薄外延膜。对于异质外延,在尖晶石上外延硅的实验证明:四氯化硅有腐蚀作用,只能用硅烷热分解法。在蓝宝石上硅烷热分解法生成的硅膜,其孪晶缺陷低于四氯化硅沉积生长的硅膜。生成 |
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