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| MOCVD GaAs太阳电池的结特性 | |
| 作者姓名： | 施小忠 夏冠群 汪乐 莫金玑 |
| 摘 要： | 本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数．结果表明ＭＯＣＶＤ太阳电池的效率随电池外延ｎ型层厚度的增大而增大．暗电流随电池外延ｎ型层厚度的增大而减小．ＭＯＣＶＤ电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延ｎ型层厚度的增大而增强．ＭＯＣＶＤ电池比ＬＰＥ电池所能承受的反向电流密度大． |
| 关 键 词： | 太阳电池 MOCVD法 砷化镓 |
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