| 薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究 |
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| 引用本文： | 王茂菊, 李斌, 章晓文, 陈平, 韩静,. 薄栅氧化层斜坡电压TDDB击穿参数的研究[J]. 电子器件, 2006, 29(3): 624-626,634 |
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| 作者姓名： | 王茂菊 李斌 章晓文 陈平 韩静 |
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| 作者单位： | 华南理工大学物理科学与技术学院,广州,五山,510640;信息产业部电子第五研究,广州,东莞,510610;华南理工大学物理科学与技术学院,广州,五山,510640;信息产业部电子第五研究,广州,东莞,510610 |
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| 摘 要： | 随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实验来研究薄栅氧化层的TDDB，测出斜坡电压时氧化层的击穿电压、击穿电荷以及击穿时间，研究了斜坡电压情况下，栅氧化层击穿电荷、击穿电压和外加电压斜率等击穿参数间的依赖关系。
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| 关 键 词： | 薄栅氧化物 TDDB 斜坡电压法 击穿参数 |
| 文章编号： | 1005-9490（2006）03-0624-03 |
| 收稿时间： | 2005-11-28 |
| 修稿时间： | 2005-11-28 |
Voltage Ramp TDDB Test and Research of the Parameters of Breakdown |
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| WANG Mao-ju~,~,LI Bin~,ZHANG Xiao-wen~,CHEN Ping~,HAN Jing~. Voltage Ramp TDDB Test and Research of the Parameters of Breakdown[J]. Journal of Electron Devices, 2006, 29(3): 624-626,634 |
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| Authors: | WANG Mao-ju~ ~ LI Bin~ ZHANG Xiao-wen~ CHEN Ping~ HAN Jing~ |
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| Affiliation: | 1, The Physical School of SCUT, Guangzhou 510640, China ; 2, CEPREI, Guangzhou 510610, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TDDB |
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