微弧氧化膜层的组分质量比率、结构与性能

为了同时提高AZ61的MgF₂+MgO微弧氧化膜层的电化学腐蚀与磨损性能,本文运用复合电介质顺序放电学术思想,通过减弱击穿熔体的喷发,使膜层进一步致密,进而使其性能得到提高。膜层的MgF₂-MgO质量比率α、微观组织、电化学腐蚀与磨损性能的研究结果表明：α=1.2时,减弱击穿熔体喷发的效果显著好于α=0.1和11.8,膜层的内部致密层厚度可提高到3.6 μm,是现有微弧氧化膜层的3倍,外部疏松层的阻抗可提高到13555 Ω cm^₂,比α=0.1和11.8的大30%。该膜层可将AZ61的自腐蚀电压Ecorr由-1.912提高到-0.455 V_SCE、自腐蚀电流Icorr由378.6减小到0.453(10^_-6 A/cm^₂)、磨损率由921降低到0.5(10^_-5 mm^₃/N.m)。本研究为制备高性能微弧氧化膜层提供了一种新模式。