| Na:O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 徐百胜,闫征,武红磊,郑瑞生.Na:O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究[J].硅酸盐学报,2015,43(1). |
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| 作者姓名： | 徐百胜 闫征 武红磊 郑瑞生 |
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| 作者单位： | 深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,广东深圳518060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目，高等学校博士学科点专项科研基金项目，深圳市科技计划项目 |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,分别研究了Al N在Na单掺杂和Na:O共掺杂情况下的晶格结构、电子态密度及能带结构。计算结果表明:Na单掺杂Al N和Na:O共掺杂Al N均为直接带隙半导体材料,且表现出p型掺杂特性;相比于本征Al N晶体,两者的晶格结构均膨胀,而Na:O共掺杂相对Na单掺杂Al N晶格膨胀较小;Na单掺杂Al N的价带顶态密度具有较强的局域化特性,不利于掺杂浓度的提高;与Na单掺杂Al N相反,Na:O共掺杂Al N的价带顶态密度局域化特性明显减弱,受主能级变浅,有利于Al N的p型掺杂。
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| 关 键 词： | 氮化铝 第一性原理 电子结构 p型掺杂 |
First-Principles Study of AlN Crystal Codoped with Na and O |
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| XU Baisheng,YAN Zheng,WU Honglei,ZHENG Ruisheng.First-Principles Study of AlN Crystal Codoped with Na and O[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2015,43(1). |
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| Authors: | XU Baisheng YAN Zheng WU Honglei ZHENG Ruisheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum nitride first-principles electronic structure p-type doping |
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