| 超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型 |
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| 引用本文： | 韩名君,柯导明. 超浅结亚45nm MOSFET 亚阈值区二维电势模型[J]. 电子学报, 2015, 43(1): 94. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015 |
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| 作者姓名： | 韩名君 柯导明 |
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| 作者单位： | 1. 安徽大学电子信息工程学院，安徽合肥230601; 安徽工程大学电气工程学院，安徽芜湖 241000
2. 安徽大学电子信息工程学院,安徽合肥,230601 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No ．61076086，No ．06070458)；高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域，得到三个区域的定解问题，并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数，首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型，并给出了亚阈值电流模型。通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15～45nm MOSFET的二维电势和电流。
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| 关 键 词： | 超浅结亚45nm MOSFET 二维电势半解析模型 亚阈值电流 |
| 收稿时间： | 2013-09-18 |
A 2-D Potential Sub-Threshold Model for Sub-45nm MOSFETs with Ultra Shallow Junctions |
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| HAN Ming-jun,KE Dao-ming. A 2-D Potential Sub-Threshold Model for Sub-45nm MOSFETs with Ultra Shallow Junctions[J]. Acta Electronica Sinica, 2015, 43(1): 94. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015 |
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| Authors: | HAN Ming-jun KE Dao-ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ultra shallow junctions sub-45nm MOSFETs 2-D potential semi-analytical model sub-threshold current |
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