| 超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究 |
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| 引用本文： | 王鹏飞,丁士进,张卫,张剑云,王季陶.超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究[J].半导体技术,2001,26(1):37-39. |
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| 作者姓名： | 王鹏飞 丁士进 张卫 张剑云 王季陶 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系CVD研究室, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69776026) |
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| 摘 要： | 详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（SiOF）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的FTIR光谱，发现薄膜中大部分的氟以Si--F键形成存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。
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| 关 键 词： | 超大规模集成电路 介电常数 含氟一氧化硅 ULSI 薄膜 |
| 文章编号： | 1003-353X(2001)01-0037-03 |
| 修稿时间： | 1999年12月13日 |
Research on low dielectric constant SiOF films for ULSI |
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| WANG Peng-fei,DING Shi-jin,ZHANG Wei,ZHANG Jian-yun,WANG Ji-tao.Research on low dielectric constant SiOF films for ULSI[J].Semiconductor Technology,2001,26(1):37-39. |
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| Authors: | WANG Peng-fei DING Shi-jin ZHANG Wei ZHANG Jian-yun WANG Ji-tao |
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| Abstract: | The manufacturing process is discussed in details. From the FTIR analysis, we find that most F are incorporated in the films as Si-F bonds. The dielectric constant and refractive index decrease with Si-F percentage of the film increasing. The relation between F concentration and dielectric constant are also discussed in this paper. |
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| Keywords: | chemical vapor deposition C-V characteristics dielectric const |
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