| 张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究 |
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| 引用本文： | 殷景志,王新强,李献杰,杜国同,张树人.张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):321-324. |
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| 作者姓名： | 殷景志 王新强 李献杰 杜国同 张树人 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系,长春,130012 |
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| 摘 要： | 采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长的ＩｎＡｓ／ＩｎＰ自组装量子点是无序的。为了解决这个问题，在ＩｎＰ衬底上先生长张应变的ＧａＡｓ层，然后再生长ＩｎＡｓ层，可得到有序化排列的量子点。本文对张应变ＧａＡｓ层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析，为生长有序化、高密度，均匀性好自组装量子点提供了依据。
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| 关 键 词： | 自组装量子点 有序生长 张应变GaAs层 InAs／InP |
Study on the mechanism of ordering growth InAs/InP quantum dots by introducing tensile strained GaAs layer |
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| YIN Jing-zhi,WANG Xin-qiang,LI Xian-jie,DU Guo-tong,ZHANG Shuren.Study on the mechanism of ordering growth InAs/InP quantum dots by introducing tensile strained GaAs layer[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(4):321-324. |
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| Authors: | YIN Jing-zhi WANG Xin-qiang LI Xian-jie DU Guo-tong ZHANG Shuren |
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| Abstract: | In the paper we analyze the mechanism of ordering growth InAs/InP quantum dots(islands) on undulational surface and point out that the tensile strain layer controls the arrangement of InAs/InP self-assembled quantum dots. Ordering InAs quantum dot on tensile strained GaAs layer on InP substrate is achieved. |
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| Keywords: | Self-assembled quantum dots Ordering growth Tensile strained GaAs layer |
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