| 薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响 |
| |
| 引用本文： | 赵晓锋,温殿忠,王天琦,丁玉洁.薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响[J].功能材料,2010,41(10). |
| |
| 作者姓名： | 赵晓锋 温殿忠 王天琦 丁玉洁 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室资助项目，黑龙江省教育厅科学技术研究资助项目 |
| |
| 摘 要： | 以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。
|
| 关 键 词： | 纳米多晶硅薄膜 结构特性 LPCVD 退火 |
Effect of thin films thickness and annealing temperature on structure properties of nano polysilicon thin films |
| |
| ZHAO Xiao-feng,WEN Dian-zhong,WANG Tian-qi,DING Yu-jie.Effect of thin films thickness and annealing temperature on structure properties of nano polysilicon thin films[J].Journal of Functional Materials,2010,41(10). |
| |
| Authors: | ZHAO Xiao-feng WEN Dian-zhong WANG Tian-qi DING Yu-jie |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
