| IEEE 802.11a发射前端可变增益放大器和前置功率放大器的研究 |
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| 引用本文： | 张雪莲,颜峻,石寅,代伐. IEEE 802.11a发射前端可变增益放大器和前置功率放大器的研究[J]. 半导体学报, 2009, 30(1): 015008-5 |
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| 作者姓名： | 张雪莲 颜峻 石寅 代伐 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;奥本大学电子工程与计算机科学系,奥本 36849-5201, 美国 |
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| 摘 要： | 本文介绍了用于单片集成IEEE 802.11a发射前端的5.2GHz可变增益放大器和前置功率放大器。本设计采用50GHz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺，芯片面积为1.12×1.25mm2。可变增益放大器由5个控制字控制，可变增益范围为34dB，并在-30°C 到 85°C范围内具有较好的温度补偿效果。前置功率放大器采用差分输入、单端输出的结构，负载采用5.2GHz电感电容并联谐振电路。两个电路的总增益最大为29dB，OIP3为11dBm。在2.85V供电条件下，总功耗电流为45mA。
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| 关 键 词： | SiGe BiCMOS 射频集成电路，可变增益放大器，前置功率放大器， IEEE 802.11a |
5.2 GHz variable-gain amplifier and power amplifier driver for WLAN IEEE 802.11a transmitter front-end |
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| Zhang Xuelian,Yan Jun,Shi Yin and Dai Fa Foster. 5.2 GHz variable-gain amplifier and power amplifier driver for WLAN IEEE 802.11a transmitter front-end[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 30(1): 015008-5 |
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| Authors: | Zhang Xuelian Yan Jun Shi Yin Dai Fa Foster |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;Department of Electrical & Computer Engineering, Auburn University, Auburn, AL 36849-5201, USA |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe BiCMOS RFIC variable-gain amplifier power amplifier driver WLAN IEEE 802.11a |
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