VT辐照模式pMOS剂量计的标定 |
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引用本文: | 范隆,赵元富.VT辐照模式pMOS剂量计的标定[J].核技术,1997,20(10):606-610. |
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作者姓名: | 范隆 赵元富 |
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作者单位: | [1]中国科学院新疆物理研究所 [2]西安微电子技术研究所 |
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摘 要: | 对辐照偏置为阈值VT的pMOS剂量计进行了60Coγ射线和6MeV电子束的辐照标定,结果表明,在不低于102Gy(Si)的剂量范围内,这种变化的负栅偏电压下工作的pMOS剂量计呈现出线性响应,其适用于空间环境的响应灵敏度为20mV/Gy(Si)。同时发现,对60Coγ射线的响应灵敏度为对6MeV电子束的1.3倍左右。对实验结果进行了分析,认为pMOS剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性,提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。
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关 键 词: | pMOS 剂量计 电离辐照 混合场 标定 VT辐照模式 |
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