摘 要: | Cu2S具有较低的晶格热导率和窄禁带宽度,它热电性能优异、成本低廉且无毒等优点引起了热电材料相关研究领域的广泛关注。采用水热合成法与真空烧结法相结合的方式制备Cu2S基热电材料,通过物相、成分表征和热电性能测试等手段,研究稀土元素Tm掺杂对Cu2S基材料热电性能的影响规律,并采用第一性原理开展掺杂后Cu2S能带结构和态密度计算。研究结果表明,水热合成法可以获得Cu31S16粉体,在真空烧结过程中物相发生了转变,从原来的Cu31S16转变为Cu2S。掺杂Tm元素可显著提高Cu2S粉体的结晶性能,随着掺杂含量的增加,Cu2S团聚现象逐渐消失。Cu2S塞贝克系数随Tm掺杂量的增加有所提升,其中掺杂2%Tm的Cu2S在350℃处于相变温度,塞贝克系数达到峰值1589.71μV/K;随掺杂元素的增加和温度的升高,C...
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