| 选择性腐蚀Si1-xGex与Si制备绝缘体上超薄应变硅 |
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| 引用本文： | 母志强,薛忠营,陈达,狄增峰,张苗. 选择性腐蚀Si1-xGex与Si制备绝缘体上超薄应变硅[J]. 半导体技术, 2013, 0(1): 40-44 |
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| 作者姓名： | 母志强 薛忠营 陈达 狄增峰 张苗 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2010CB832906);上海市自然科学基金(12ZR1436300) |
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| 摘 要： | 基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺。采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI。采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度;使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度;使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征。结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91%,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量。
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| 关 键 词： | 选择性腐蚀 应变硅 超薄 绝缘体上应变硅 锗硅 |
Fabrication of Ultra-Thin Strained Silicon on the Insulator by Selective Etching of Si1-xGex and Si |
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| Mu Zhiqiang,Xue Zhongying,Chen Da,Di Zengfeng,Zhang Miao. Fabrication of Ultra-Thin Strained Silicon on the Insulator by Selective Etching of Si1-xGex and Si[J]. Semiconductor Technology, 2013, 0(1): 40-44 |
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| Authors: | Mu Zhiqiang Xue Zhongying Chen Da Di Zengfeng Zhang Miao |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China) |
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