| 掺杂Sn,Bi的Ge2Sb2Te5相变存储靶材制备和薄膜性能研究 |
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| 引用本文： | 储茂友,林阳,王星明,陈洋,白雪,韩沧.掺杂Sn,Bi的Ge2Sb2Te5相变存储靶材制备和薄膜性能研究[J].稀有金属,2013(1):60-64. |
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| 作者姓名： | 储茂友 林阳 王星明 陈洋 白雪 韩沧 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院稀有金属冶金材料研究所 |
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| 摘 要： | 在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2Sb2Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6%(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性。采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材。常温下沉积的薄膜为非晶态,经150～350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程。掺杂5.6%(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14%,该薄膜潜在的光存储性能更好。掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加。
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| 关 键 词： | 相变存储 掺杂改性 靶材 |
Targets Preparation and Thin Film Properties Based on Sn-and Bi-Doped Ge2Sb2Te5 Phase-Change Memory Materials |
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| Chu Maoyou,Lin Yang,Wang Xingming,Chen Yang,Bai Xue,Han Cang.Targets Preparation and Thin Film Properties Based on Sn-and Bi-Doped Ge2Sb2Te5 Phase-Change Memory Materials[J].Chinese Journal of Rare Metals,2013(1):60-64. |
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| Authors: | Chu Maoyou Lin Yang Wang Xingming Chen Yang Bai Xue Han Cang |
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| Affiliation: | (Mining,Metallurgy & Materials Research Department,General Research Institute for Nonferrous Metals,Beijing 100088,China) |
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| Abstract: | |
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