| 基于功耗限制的CMOS低噪声放大器最优化设计 |
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| 引用本文： | 徐跃.基于功耗限制的CMOS低噪声放大器最优化设计[J].电子技术应用,2007,33(2):53-55. |
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| 作者姓名： | 徐跃 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学,光电工程学院,江苏,南京,210003 |
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| 基金项目： | 南京邮电大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 分析了进行功耗限制条件下怎样得到低噪声放大器的最优噪声,并就阻抗匹配及小信号电压增益进行了详细讨论。介绍了采用0.25μmCMOS工艺设计的工作在2.4GHz频率下的全集成低噪声放大器。模拟结果表明,在2.4GHz工作频率下,低噪声放大器的功耗为16mW,正向增益S21可达15dB,反射参数S11、S22分别小于-23dB和-20dB,噪声系数NF为2.7dB,三阶互调点ⅡP3为-0.5dB。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 功耗限制 噪声系数 阻抗匹配 |
| 修稿时间： | 2006年7月20日 |
The optimization design of CMOS low noise amplifier limited by power dissipation |
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| XU Yue.The optimization design of CMOS low noise amplifier limited by power dissipation[J].Application of Electronic Technique,2007,33(2):53-55. |
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| Authors: | XU Yue |
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