大规模集成电路用硅单晶 |
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引用本文: | 郭善本.大规模集成电路用硅单晶[J].上海有色金属,1982(1). |
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作者姓名: | 郭善本 |
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作者单位: | 上海半导体器件研究所 |
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摘 要: | 本文简要介绍了美、日集成电路发展水平以及硅单晶的质量、直径大型化、等径化的进展情况。并结合国内情况指出了LSI对硅材料的质量要求。硅单晶电阻率的径向不均匀性将决定器件的最小尺寸、金属杂质将导致器件性能恶化、微缺陷、氧含量与LSI质量密切相关。文内对于利用氧沉淀的本征吸杂和作为LSI工艺中的头道工序——硅片加工的质量要求也作了扼要介绍。
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