| SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究 |
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| 引用本文： | 谭刚,吴嘉丽. SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究[J]. 光学精密工程, 2004, 12(Z1): 318-321 |
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| 作者姓名： | 谭刚 吴嘉丽 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,电子工程研究所,传感器研究中心,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R＞4),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.
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| 关 键 词： | 二氯甲硅烷-氨体系 LPCVD 氮化硅薄膜 折射率 |
| 文章编号： | 1004-924X(2004)03-0318-04 |
| 收稿时间： | 2004-02-12 |
| 修稿时间： | 2004-02-12 |
Technical research of Si3N4 film in SiH2Cl2-NH3-N2 system prepared by LPCVD |
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| TAN Gang,WU Jia-li. Technical research of Si3N4 film in SiH2Cl2-NH3-N2 system prepared by LPCVD[J]. Optics and Precision Engineering, 2004, 12(Z1): 318-321 |
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| Authors: | TAN Gang WU Jia-li |
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