退火直拉硅中小于10nm的微缺陷

直拉硅中氧的浓度高达10~(18)at/cm~3,在器件工艺的热处理过程中,会产生氧的沉淀或形成硅氧团(SiO_x)。经过650℃下较长时间热处理所形成的与氧有关的缺陷,在表观上起施主陷阱中心的作用,引起硅片电阻率的漂移,影响器件的阈值电压,降低VLSI的成品率。近些年来,人们越来越注重研究施主陷阱的产生及其微观结构。这一方面是由于VLSI生产向低温工艺发展后,不可避免地会遇到施主陷阱问题,另一方面,新近的研究表明,在较低温度退火中形成的施主陷阱或硅氧团,在器件的后续工艺中,会成为氧进一步沉淀的核心,促进了更为复杂的沉淀物一位错络合物(PDC)的形成。因此研究在较低温度(例如650℃左右)热处理所形成的微缺陷的性质、结构及其它杂质对它生成的影响,无疑对弄清硅中与氧有关施主陷阱的本质,对改善用于VLSI器件的材料性能,都会具有十分重要意义的。