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硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的电子束感生电流法观测
作者姓名:徐晓华  李萍
作者单位:昆明物理研究所,昆明物理研究所
摘    要:本文用EBIC法对SBD元件进行了观测。在加速电压1—2.5kV、束流约3×10~(-12)A的条件下,对SBD元件的结深进行了非破坏性测量,其值约13nm,此值与同样元件的二次离子剥离法测量结果相符。

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