| 镊子状GaN纳米材料的合成、机理及光致发光特性 |
| |
| 引用本文： | 孟阿兰,汪传生,蔺玉胜,侯俊英,李镇江.镊子状GaN纳米材料的合成、机理及光致发光特性[J].稀有金属材料与工程,2005,34(Z1):15-18. |
| |
| 作者姓名： | 孟阿兰 汪传生 蔺玉胜 侯俊英 李镇江 |
| |
| 作者单位： | 1. 青岛科技大学化学与分子学院,山东,青岛,266042
2. 青岛科技大学机电学院,山东,青岛,266042 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(50132040),青岛科技大学博士基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 报道了1种新形态的GaN低维纳米材料--镊子状纳米GaN的合成及其新颖的光致发光特性.首先,对单晶MgO基片表面进行化学刻蚀,使其表面形成规则的小山峰样突起结构.随后,通过金属镓与氨气反应,在经上述特殊处理后的立方MgO单晶基片上,首次成功地合成出镊子状纳米GaN.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、透射电镜及选区电子衍射结果表明镊子状纳米GaN是由底部的1根直径大约为100 nm～150 nm的纳米棒和上部的2根直径大约为40 nm～70nm的纳米针组成;纳米镊子是具有立方闪锌矿结构的GaN单晶.光致发光谱研究表明,镊子状纳米GaN在450nm左右有1个宽的强发光峰,该发光峰处于蓝带发光区.此外,在418 nm,450 nm及469 nm处各有1个劈裂峰.
|
| 关 键 词： | 镊子状纳米GaN 合成 光致发光特性 |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)S1-0015-04 |
| 修稿时间： | 2004年10月20 |
The Synthesis and Photoluminescence of Tweezers-lick GaN Nanomaterials |
| |
| Meng Alan,Wang Chuansheng,Lian Yusheng,Hou Junying,Li Zhenjiang.The Synthesis and Photoluminescence of Tweezers-lick GaN Nanomaterials[J].Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(Z1):15-18. |
| |
| Authors: | Meng Alan Wang Chuansheng Lian Yusheng Hou Junying Li Zhenjiang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
