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一种高辐射率的GaAs—AlGaAs双异质结侧面发光二极管
作者姓名:王家齐  廖先炳  杨德林  郑广富  彭明忠
摘    要:报导了研制成功的SiO_2掩蔽的电极条形结构GaAs—AlGaAs双异质结侧面发光二极管的制造工艺,主要电光参数及稳定性和可靠性。该器件在100mA工作电流下输出光功率最高的达2.4mW。工作电流一般可达200mA,最好的可达400mA。辐射率S在200mA下高达1490w/cm~2sr。室温下工作寿命可达1×10~4小时。

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