| CdS纳米线阵列光致发光的研究 |
| |
| 引用本文： | 孙岚 陈朝 林昌健. CdS纳米线阵列光致发光的研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 462-463 |
| |
| 作者姓名： | 孙岚 陈朝 林昌健 |
| |
| 作者单位： | 孙岚（厦门大学,固体表面物理化学国家重点实验室,化学系,福建,厦门,361005）;陈朝（厦门大学,物理系,福建,厦门,361005）;林昌健（厦门大学,固体表面物理化学国家重点实验室,化学系,福建,厦门,361005） |
| |
| 基金项目： | 国家863计划资助项目(2003AA302230);国家自然科学基金资助项目(20273055,1130-K16002) |
| |
| 摘 要： | 用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列,SEM和XRD的观察和测量表明,CdS纳米线尺寸均匀、排列规整,具有六方纤锌矿结构,Cd和S的化学计量比为11.CdS纳米线阵列的光致发光测量显示,激发波长为325nm时,CdS纳米线阵列在450nm处有一强的PL峰,在484nm处还有一肩峰.对其光致发光机理进行了分析.
|
| 关 键 词： | Gds纳米线 氧化铝模板 直流电沉积 光致发光 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0462-02 |
| 修稿时间： | 2004-05-05 |
Photoluminescence of CdS nanowire arrays |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
|
