CdS纳米线阵列光致发光的研究 |
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引用本文: | 孙岚 陈朝 林昌健. CdS纳米线阵列光致发光的研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 462-463 |
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作者姓名: | 孙岚 陈朝 林昌健 |
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作者单位: | 孙岚(厦门大学,固体表面物理化学国家重点实验室,化学系,福建,厦门,361005);陈朝(厦门大学,物理系,福建,厦门,361005);林昌健(厦门大学,固体表面物理化学国家重点实验室,化学系,福建,厦门,361005) |
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基金项目: | 国家863计划资助项目(2003AA302230);国家自然科学基金资助项目(20273055,1130-K16002) |
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摘 要: | 用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列,SEM和XRD的观察和测量表明,CdS纳米线尺寸均匀、排列规整,具有六方纤锌矿结构,Cd和S的化学计量比为11.CdS纳米线阵列的光致发光测量显示,激发波长为325nm时,CdS纳米线阵列在450nm处有一强的PL峰,在484nm处还有一肩峰.对其光致发光机理进行了分析.
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关 键 词: | Gds纳米线 氧化铝模板 直流电沉积 光致发光 |
文章编号: | 1001-9731(2004)增刊-0462-02 |
修稿时间: | 2004-05-05 |
Photoluminescence of CdS nanowire arrays |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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