| 1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长 |
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| 引用本文： | 于丽娟,金潮渊,芦秀玲,黄永箴.1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长[J].半导体光电,2003,24(4):274-275. |
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| 作者姓名： | 于丽娟 金潮渊 芦秀玲 黄永箴 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G2000036605; |
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| 摘 要： | 采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。
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| 关 键 词： | 半导体光放大器 偏振不灵敏 宽接触激光器 |
| 文章编号： | 1001-5868(2003)04-0274-02 |
| 修稿时间： | 2002年11月29日 |
Growth of 1.55 μm Polarization-insensitive Semiconductor Optical Amplifier |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor optic amplifier polarization insensitivity broad laser |
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