在Si—基陶瓷上CVD沉积莫来石涂层动力学研究

在立式热壁反应器中利用AlCl3、SiCl4，CO2，H2体系，在SiC基体上化学沉积（CVD）莫来石涂层。建立了以实验为依据的动力学模型，以此表明气氛介质反应在动力学上对莫来石在SiC上的生长速度起着重要的作用。动力学上平衡界限被定义在673－1327K温度范围内和30－400mbar之间，这里温度被定义为以应器位置的函数。莫来石生长速度和晶体结构取决于温度、压力、反应物浓度和反应物组成。