| Si基的 RICBD法生长GaN薄膜 |
| |
| 引用本文： | 蔡先体,黄启俊,黄浩,孟宪权,郭怀喜,范湘军. Si基的 RICBD法生长GaN薄膜[J]. 半导体光电, 2001, 22(1): 26-30 |
| |
| 作者姓名： | 蔡先体 黄启俊 黄浩 孟宪权 郭怀喜 范湘军 |
| |
| 作者单位： | 武汉大学 物理系, |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;19775036; |
| |
| 摘 要： | 讨论反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点，利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在S i 衬底上生长GaN薄膜，并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析，证实形成了良好的GaN薄膜。
|
| 关 键 词： | 反应离化团簇束沉积 氮化钙薄膜 硅基 |
| 文章编号： | 1001-5868(2001)01-0026-05 |
| 修稿时间： | 2000-07-10 |
GaN Films Grown by RICBD on Si Substrate |
| |
| CAI Xian-ti,HUANG Qi-jun,HUANG Hao,MENG Xian-quan,GUO Huai-xi,FAN Xiang-Jun. GaN Films Grown by RICBD on Si Substrate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2001, 22(1): 26-30 |
| |
| Authors: | CAI Xian-ti HUANG Qi-jun HUANG Hao MENG Xian-quan GUO Huai-xi FAN Xiang-Jun |
| |
| Abstract: | The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.With double-flow method and ZnO buffer layer technique, GaN films on Si substrate are fabricated. Analysis and measurement by XPS,XRD and PL have shown that the GaN films are relatively perfect. |
| |
| Keywords: | reactive ionized cluster beam deposition GaN films buffer layer |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
