| 真空退火对溅射淀积ZnO：Ga透明导电膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 马瑾,余旭浒,计峰,王玉恒,张锡健,程传福,马洪磊. 真空退火对溅射淀积ZnO：Ga透明导电膜性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(7): 1166-1168 |
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| 作者姓名： | 马瑾 余旭浒 计峰 王玉恒 张锡健 程传福 马洪磊 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学物理与微电子学院,山东,济南,250100
2. 山东师范大学物理系,山东,济南,250014 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目(02165)，博士点基金资助项目(20020422056) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 ZnO：Ga 真空退火 |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)07-1166-03 |
| 修稿时间： | 2004-10-09 |
Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r.f. Magnetron Sputtering |
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| Ma Jin,Yu Xuhu,Ji Feng,Wang Yuheng,Zhang Xijian,Cheng Chuanfu,Ma Honglei. Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r.f. Magnetron Sputtering[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(7): 1166-1168 |
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| Authors: | Ma Jin Yu Xuhu Ji Feng Wang Yuheng Zhang Xijian Cheng Chuanfu Ma Honglei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering ZnO:Ga films vacuum annealing |
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