首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计
引用本文:陈永洁,刘忠,危长明,王守军.低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计[J].微电子学,2008,38(6).
作者姓名:陈永洁  刘忠  危长明  王守军
作者单位:1. 湖南师范大学,机电技术设备研究所,长沙,410081;艾迪悌科技(上海)有限公司,上海,200233
2. 湖南师范大学,机电技术设备研究所,长沙,410081
3. 艾迪悌科技(上海)有限公司,上海,200233
摘    要:针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz.两个VCO的调谐范围分别为450~1 017 MHz和559~935 MHz.

关 键 词:压控振荡器  环形压控振荡器  相位噪声

Design of Low Phase Noise CMOS Ring Voltage Controlled Oscillator
CHEN Yong-jie,LIU Zhong,WEI Chang-ming,WANG Shou-jun.Design of Low Phase Noise CMOS Ring Voltage Controlled Oscillator[J].Microelectronics,2008,38(6).
Authors:CHEN Yong-jie  LIU Zhong  WEI Chang-ming  WANG Shou-jun
Affiliation:CHEN Yongjie~(1,2) LIU Zhong~1 WEI Changming~2 WANG Shoujun~2 (1.Institute of Electrical , Mechanical equipment,Hunan Normal University,Changsha 410081,P.R.China,2.IDT Technology(Shanghai)Ltd.,Shanghai 200233,P.R.China)
Abstract:
Keywords:Voltage controlled oscillator(VCO)  Ring VCO  Phase noise  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号