| 单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管的二维器件仿真 |
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| 引用本文： | 邓婉玲,黄君凯. 单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管的二维器件仿真[J]. 光电子技术, 2011, 31(3) |
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| 作者姓名： | 邓婉玲 黄君凯 |
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| 作者单位： | 暨南大学信息科学技术学院电子工程系,广州,510630 |
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| 摘 要： | 二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径.首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态.同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件,以及考虑翘曲(kink)效应,仿真单栅和双栅器件的电流-电压(I-V)特性,分析物理规律,建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解.
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜晶体管 二维器件仿真 陷阱态密度 |
Two-dimensional Simulation of Single-gate and Double-gate Polysilicon Thin Film Transistors |
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| Deng Wanling,Huang Junkai. Two-dimensional Simulation of Single-gate and Double-gate Polysilicon Thin Film Transistors[J]. Optoelectronic Technology, 2011, 31(3) |
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| Authors: | Deng Wanling Huang Junkai |
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