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二氧化锡纳米梭阵列的合成与场发射特性研究
引用本文:陈媚媚,郑陶雷,王宗利,李俊杰,顾长志. 二氧化锡纳米梭阵列的合成与场发射特性研究[J]. 液晶与显示, 2007, 22(6): 672-676
作者姓名:陈媚媚  郑陶雷  王宗利  李俊杰  顾长志
作者单位:1. 北京交通大学,电子信息工程学院,北京,100044
2. 中国科学院,物理研究所,北京,100080
摘    要:利用热蒸发法在硅衬底上合成了二氧化锡纳米梭阵列,并研究其场致电子发射特性。研究结果表明,所合成的二氧化锡纳米梭是一种新型的纳米结构,可以通过反应时间的不同得到不同密度的二氧化锡纳米梭阵列,从而实现可控生长。在研究场致电子发射方面,我们发现所合成的二氧化锡纳米梭阵列有优良的场发射性能,开启电场为1.4V/μm,对应的发射电流密度为10μA/cm2;当电场强度为7.4V/μm时,发射电流密度高达2.48mA/cm2。这是由于二氧化锡纳米梭结构有很小的尖端曲率半径以及所测量样品中二氧化锡纳米梭阵列分布比较均匀造成的。测量结果发现在F-N曲线上呈现两个线性段,我们认为这是由于在不同的电场下,发射电流由不同高度的梭形结构引起的,不同高度的梭形结构由于长径比不同因而具有不同的场增强因子,从而导致在F-N曲线上表现为两个线性段。

关 键 词:场发射  二氧化锡纳米梭阵列  热蒸发
文章编号:1007-2780(2007)06-0672-05
收稿时间:2007-08-24
修稿时间:2007-10-09

Field Emission Properties of Tin Oxide Nanoshuttles Arrays
CHEN Mei-mei,ZHENG Tao-lei,WANG Zong-li,LI Jun-jie,GU Chang-zhi. Field Emission Properties of Tin Oxide Nanoshuttles Arrays[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2007, 22(6): 672-676
Authors:CHEN Mei-mei  ZHENG Tao-lei  WANG Zong-li  LI Jun-jie  GU Chang-zhi
Abstract:
Keywords:field emission  tin oxide nanoshuttle arrays  thermal evaporation
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