| GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较 |
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| 引用本文： | 沈晓明,张秀兰,孙元平,赵德刚,冯淦,张宝顺,张泽洪,冯志宏,杨辉. GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较[J]. 半导体学报, 2002, 23(8): 881-885. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.08.018 |
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| 作者姓名： | 沈晓明 张秀兰 孙元平 赵德刚 冯淦 张宝顺 张泽洪 冯志宏 杨辉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083；广西大学物理系,南宁,530004;2. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083;3. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69825107; |
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| 摘 要： | 研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN) 外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对引起上述差异的原因进行了简单的讨论.
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| 关 键 词： | 立方GaN MOVPE 光辅助湿法腐蚀 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)08-0881-05 |
| 修稿时间： | 2001-11-12 |
Comparative Study on Photoasissted Wet Etching Behavior of GaN/GaAs(001) and GaN/Al2O3(0001)Epilayers |
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| Shen Xiaoming ,,Zhang Xiulan ,Sun Yuanping ,Zhao Degang ,Feng Gan ,Zhang Baoshun ,Zhang Zehong ,Feng Zhihong and Yang Hui. Comparative Study on Photoasissted Wet Etching Behavior of GaN/GaAs(001) and GaN/Al2O3(0001)Epilayers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(8): 881-885. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.08.018 |
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| Authors: | Shen Xiaoming Zhang Xiulan Sun Yuanping Zhao Degang Feng Gan Zhang Baoshun Zhang Zehong Feng Zhihong Yang Hui |
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| Affiliation: | Shen Xiaoming 1,3,Zhang Xiulan 2,Sun Yuanping 1,Zhao Degang 1,Feng Gan 1,Zhang Baoshun 1,Zhang Zehong 1,Feng Zhihong 1 and Yang Hui 1 |
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| Abstract: | Photoassisted wet chemical etching of cubic GaN (c-GaN) on GaAs(001) epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) is investigated.Compared with the etching of hexagonal GaN (h-GaN) grown on Al_2O_3(0001),it is found that the photoassisted wet etching behavior of c-GaN grown on GaAs is different from that of h-GaN on sapphire.The possible reason causing the difference is discussed. |
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| Keywords: | cubic-GaN MOVPE photoassisted wet etching |
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