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基于10 Gbit/s应用长波长光电二极管
引用本文:曹均凯,王国栋,镇磊,梁泽,潘青.基于10 Gbit/s应用长波长光电二极管[J].深圳大学学报(理工版),2005,22(4):319-323.
作者姓名:曹均凯  王国栋  镇磊  梁泽  潘青
作者单位:深圳飞通光电股份有限公司,深圳,518057
基金项目:国家“863计划”高技术计划项目(2002AA31220)
摘    要:设计制作了一种基于10Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InPPIN高速光电二极管.该器件带宽达到19GHz,响应度>0.75A/W,暗电流<5nA,结电容<0.15pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310nm和1550nm波长光的探测.

关 键 词:光电二极管  高速光电探测器  PIN光电二级管
文章编号:1000-2618(2005)04-0319-05
收稿时间:2005-06-02
修稿时间:2005-09-20

A long wavelength photodiode for 10 Gbit/s applications
CAO Jun-kai,WANG Guo-dong,ZHEN Lei,LIANG Ze,PAN Qing.A long wavelength photodiode for 10 Gbit/s applications[J].Journal of Shenzhen University(Science &engineering),2005,22(4):319-323.
Authors:CAO Jun-kai  WANG Guo-dong  ZHEN Lei  LIANG Ze  PAN Qing
Affiliation:Photon Technology Co Ltd Shenzhen 518057 P. R. China
Abstract:
Keywords:photodiode  high speed photodetector  PIN-PD  
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