|
|||||
|
|
| 大直径（100）区熔硅单晶生长的特点 | |
| 引用本文： | 谭伟时,陈勇刚.大直径（100）区熔硅单晶生长的特点[J].稀有金属,1997,21(5):392-394. |
| 作者姓名： | 谭伟时 陈勇刚 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件的飞速发展，高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高：纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电... |
| 关 键 词： | 大直径 区熔 硅单晶 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |