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| GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响 | |
| 作者姓名： | 李桂英 杨锡震 |
| 作者单位： | 北京师范大学物理系 |
| 摘 要： | ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间... |
| 关 键 词： | GaP LED 位错 LPE |
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