| 正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究 |
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| 引用本文： | 唐恒敬,吕衍秋,吴小利,张可锋,李雪,龚海梅.正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究[J].激光与红外,2007,37(13):938-940. |
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| 作者姓名： | 唐恒敬 吕衍秋 吴小利 张可锋 李雪 龚海梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083；中国科学院研究生院，北京100039；中国空空导弹研究院光电所，河南 洛阳 471009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目（No.50632060） |
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| 摘 要： | 首先介绍了InGaAs台面探测器的研究进展，然后为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性，利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP／InGaAs／InP双异质结外延材料，通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺，制备了8元台面InGaAs探测器，并测试了正照射和背照射时，器件的I-V、信号和响应光谱。测试结果表明，正照射和背照射情况下，器件的响应信号差别不大，正照射下器件的平均峰值探测率为4．1×1011cm·Hz1/2·W-1，背照射下器件的平均峰值探测率为4．0×1011cm·Hz1/2·W-1，但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止。
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| 关 键 词： | 探测器 InGaAs 探测率 钝化 |
Performance Comparision of Front illuminated and Back illuminated InGaAs Detectors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | detector InGaAs detectivity passivation |
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