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| 一种新型的超高速器件——高电子迁移率晶体管 | |
| 引用本文： | 彭英才.一种新型的超高速器件——高电子迁移率晶体管[J].半导体技术,1984(3). |
| 作者姓名： | 彭英才 |
| 作者单位： | 河北大学电子系 |
| 摘 要： | 详细评述了由分子束外延(MBE)技术制备的选择掺杂(SD)GaAs/N—Al_xGa_(1-x)As(x=0.3)单异质结的高电子迁移率效应,系统介绍了由此异质结制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)的基本结构、主要特性及其在超高速领域中的应用,同其它超高速器件作了简单比较. |
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