| 用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs1-ySby及其光学和电学性质 |
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| 引用本文： | 高玉竹,龚秀英,Makino T,Yamaguchi T,Rowell N L.用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs1-ySby及其光学和电学性质[J].光电子．激光,2012(2):286-290. |
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| 作者姓名： | 高玉竹 龚秀英 Makino T Yamaguchi T Rowell N L |
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| 作者单位： | 同济大学电子与信息工程学院;同济大学电子与信息工程学院;Hamamatsu Photonics K.K.;Research Institute of Electronics,Shizuoka University;Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60777022)资助项目 |
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| 摘 要： | 用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔(Hall)参数的厚度关系拟合得到的。结果表明,本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。
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| 关 键 词： | InAs/InAsSb 液相外延(LPE) 光学性质 电学性质 |
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