| 集成真空微电子器件的研究及展望 |
| |
| 引用本文： | 刘善喜,皮德富. 集成真空微电子器件的研究及展望[J]. 广东有色金属学报, 1993, 0(2) |
| |
| 作者姓名： | 刘善喜 皮德富 |
| |
| 作者单位： | 华东工学院光电技术系，华东工学院光电技术系 南京 210014，南京 210014 |
| |
| 摘 要： | 概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0 μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50 S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率ITHz下能输出功率1～50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。
|
| 关 键 词： | 微电子技术 真空器件 场发射 |
R&D Trend of Integrated Vacuum Microelectronic Devices |
| |
| Liu Shanxi Pi Defu. R&D Trend of Integrated Vacuum Microelectronic Devices[J]. Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals, 1993, 0(2) |
| |
| Authors: | Liu Shanxi Pi Defu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | microelectronic technology vacuum tube field emission |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
