用正电子湮没研究Al-Ni二元系的固溶体类型 |
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作者姓名: | 黄懋容 顾华 张予民 |
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作者单位: | 中国科学院高能物理研究所(黄懋容,顾华),中国科学院物理研究所(张予民) |
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摘 要: | Al-Ni二元系δ相理想成份为Ni_2Al_3。有文献报道,在其富Al端形成替代固溶体,而在富Ni端,Ni原子填在空缺的位置上,β相理想成份为NiAl,富Ni端形成替代式固溶体,在富Al端,形成Ni的缺位固溶体。按这样模型算出了价电子密度(D_v)和总电子密度(D_t)。计算的D_v和测得的S线型参数以及计算的D_t和测得的正电子湮没寿命τ_1分别列在图1和图2。
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关 键 词: | 二元系 正电子湮没 |
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