| 新型亚纳秒高功率半导体开关器件 |
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| 引用本文： | 刘忠山,杨勇,马红梅,刘英坤,崔占东.新型亚纳秒高功率半导体开关器件[J].半导体技术,2009,34(6). |
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| 作者姓名： | 刘忠山 杨勇 马红梅 刘英坤 崔占东 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件--快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理.采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件.FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小.单个FID器件工作电压＞2 kV,导通时间＜1 ns,工作电流高迭10 kA,抖动＜20 ps,di/dt超过100 kA/μs,重复频率400 kHz.具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲.FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景.
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| 关 键 词： | 快速离化器件 等离子体波 快速离化 漂移阶跃恢复器 亚纳秒 无感裸芯片封装 |
Novel Subnanosecond High Power Semiconductor Switch Device |
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| Liu Zhongshan,Yang Yong,Ma Hongmei,Liu Yingkun,Cui Zhandong.Novel Subnanosecond High Power Semiconductor Switch Device[J].Semiconductor Technology,2009,34(6). |
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| Authors: | Liu Zhongshan Yang Yong Ma Hongmei Liu Yingkun Cui Zhandong |
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| Affiliation: | The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China |
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