| 低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触 |
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| 引用本文： | 陈素华,王海波,赵亮,马继开.低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触[J].半导体技术,2008,33(2):147-150. |
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| 作者姓名： | 陈素华 王海波 赵亮 马继开 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,电信学院,电子系,辽宁,大连,116023;大连理工大学,电信学院,电子系,辽宁,大连,116023;大连理工大学,电信学院,电子系,辽宁,大连,116023;大连理工大学,电信学院,电子系,辽宁,大连,116023 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800～1200℃的高温退火.研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性.通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧姆接触,室温下比接触电阻率ρc为2.25×10-3 Ω·m2(ρc由圆形传输线模型CTLM测得),随着合金温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2.07×10-4 Ω·m2.采用X射线衍射(XRD)确定金属/n-SiC界面反应时形成的相,以分析电学性质与微观结构间的联系.最后讨论了低温欧姆接触的形成机制.
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| 关 键 词： | 碳化硅 氢等离子体 欧姆接触 比接触电阻率 |
| 文章编号： | 1003-353X（2008）02-0147-04 |
| 收稿时间： | 2007-09-21 |
| 修稿时间： | 2007年9月21日 |
Fabrication of Ti/4H-SiC Ohmic Contact by Annealing at Low Temperature |
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| Chen Suhua,Wang Haibo,Zhao Liang,Ma Jikai.Fabrication of Ti/4H-SiC Ohmic Contact by Annealing at Low Temperature[J].Semiconductor Technology,2008,33(2):147-150. |
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| Authors: | Chen Suhua Wang Haibo Zhao Liang Ma Jikai |
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| Affiliation: | Chen Suhua,Wang Haibo,Zhao Liang,Ma Jikai (Department of Electronic Engineering,School of Electronic , Information Engineering,Dalian Unversity of Technology,Dalian 116023,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC hydrogen plasma ohmic contact specific contact resistivity |
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