| Ti-Si-N纳米复合薄膜KMC仿真中有效作用势的拟合 |
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| 引用本文： | 刘学杰,任元,孙士阳,谭心,贾慧灵. Ti-Si-N纳米复合薄膜KMC仿真中有效作用势的拟合[J]. 材料导报, 2011, 25(20) |
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| 作者姓名： | 刘学杰 任元 孙士阳 谭心 贾慧灵 |
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| 作者单位： | 内蒙古科技大学机械工程学院,包头,014010 |
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| 摘 要： | 为了准确地实现Ti-Si-N纳米复合薄膜生长过程动力学蒙特卡罗(KMC)仿真,采用简单原子之间的有效势拟合了第一性原理计算单粒子在TiN(001)表面的吸附作用和迁移行为.通过计算分别获得Ti、Si、N单粒子沉积在TiN(001)表面有效势的计算参数a、r0和u0.Ti、Si、N单粒子在TiN(001)表面吸附能和迁移激活能拟合相对误差均小于5％,Ti、Si、N单粒子在TiN(001)表面绕2N2Ti岛迁移激活能相对误差小于10％.对势Morse势可以描述简单键性的作用力,对于较复杂的键性其计算原子之间相互作用的准确度降低.
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| 关 键 词： | 复合材料 有效作用势 Ti-Si-N薄膜 势能面 拟合 |
Inter Atomic Potentials Fitted in Ti-Si-N Nano-composite Film KMC Simulation |
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| LIU Xuejie,REN Yuan,SUN Shiyang,TAN Xin,JIA Huiling. Inter Atomic Potentials Fitted in Ti-Si-N Nano-composite Film KMC Simulation[J]. Materials Review, 2011, 25(20) |
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| Authors: | LIU Xuejie REN Yuan SUN Shiyang TAN Xin JIA Huiling |
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