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| 纳米晶Ba（Zr0．2Ti0．8）O3薄膜的外延生长与介电特性 | |
| 引用本文： | 杨中服,;唐新桂.纳米晶Ba（Zr0．2Ti0．8）O3薄膜的外延生长与介电特性[J].广东工学院学报,2008(1):11-14. |
| 作者姓名： | 杨中服 ;唐新桂 |
| 作者单位： | [1]广东工业大学物理与光电工程学院,广东广州510006 |
| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目（05001825） |
| 摘 要： | 用脉冲激光沉积工艺在半导体（001）SrTiO3：ω（Nb）=1．0％单晶基片上，外延生长出Ba（Zr0.2Ti0.8）O3（简称BZT）介电薄膜．在650℃原位退火10min，薄膜为（001）外延生长的晶粒．薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成．BZT薄膜（002）峰的半峰宽只有0．72°，说明薄膜晶化良好；薄膜的平均晶粒为90nm，表面均方根粗糙度为4．3nm，说明薄膜表面平整．在室温、100kHz和500kV／cm条件下，BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65％． |
| 关 键 词： | 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 外延生长 介电调谐特性 |
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