纳米晶Ba(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜的外延生长与介电特性 |
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作者姓名: | 杨中服, 唐新桂 |
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作者单位: | [1]广东工业大学物理与光电工程学院,广东广州510006 |
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基金项目: | 广东省自然科学基金资助项目(05001825) |
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摘 要: | 用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3:ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90nm,表面均方根粗糙度为4.3nm,说明薄膜表面平整.在室温、100kHz和500kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%.
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关 键 词: | 锆钛酸钡薄膜 脉冲激光沉积 外延生长 介电调谐特性 |
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