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| 氮化硼薄膜的场致发射特性 | |
| 引用本文： | 顾广瑞,何志,李英爱,王翠,冯伟,赵永年. 氮化硼薄膜的场致发射特性[J]. 液晶与显示, 2002, 17(1): 44-48 |
| 作者姓名： | 顾广瑞 何志 李英爱 王翠 冯伟 赵永年 |
| 作者单位： | 1. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023;延边大学,理工学院,吉林,延吉,133002 2. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 3. 青岛化工学院,信控学院,山东,青岛,266042 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助 ( 5 9831 0 4 0 ) |
| 摘 要： | 研究了氮化硼（BN）薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系。在磁控溅射反应器中，使用高纯六角氮化硼（h-BN)靶，通入Ar和N2的混合气体，制备出了纳米BN薄膜。溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的。在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性，发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大。 |
| 关 键 词： | BN薄膜 场致发射 氮化硼薄膜 基板偏压 薄膜厚度 磁控溅射 |
| 文章编号： | 1007-2780(2002)01-0044-05 |
| 修稿时间： | 2001-09-04 |
Field Emission Characteristics of BN Thin Films |
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| GU Guang-rui ,,HE Zhi ,LI Ying-ai ,WANG Cui ,FENG Wei ,ZHAO Yong-nian. Field Emission Characteristics of BN Thin Films[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2002, 17(1): 44-48 | |
| Authors: | GU Guang-rui HE Zhi LI Ying-ai WANG Cui FENG Wei ZHAO Yong-nian |
| Affiliation: | GU Guang-rui 1,3,HE Zhi 1,LI Ying-ai 1,WANG Cui 2,FENG Wei 1,ZHAO Yong-nian 1 |
| Abstract: | |
| Keywords: | BN thin films field emission bias |
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