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双异质结NpN GaAlAs/GaAs双极晶体管
引用本文:H·Beneking,赵丽华.双异质结NpN GaAlAs/GaAs双极晶体管[J].微纳电子技术,1984(5).
作者姓名:H·Beneking  赵丽华
摘    要:已经研制出双异质结NpN Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As双极晶体管并进行了测试,为了形成NpN双异质结,除了一个宽禁带发射极之外,又引进了一个宽禁带集电极,NpN双异质结晶体管与双极晶体管一样,能双向工作。I/V测试表明:双异质结晶体管消除了正常情况下(共发射极)的Npn宽禁带发射极GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As晶体管0.2V的导通电压。与Npn GaAs晶体管比较,晶体管的存贮时间t_s约等于NpN GaAs晶体管的一半。

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