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微波等离子CVD低温沉积金刚石膜及其表征
引用本文:王琳,王永明,刘桂珍,周建. 微波等离子CVD低温沉积金刚石膜及其表征[J]. 武汉理工大学学报, 2007, 29(4): 49-52
作者姓名:王琳  王永明  刘桂珍  周建
作者单位:1. 武汉理工大学信息工程学院,武汉,430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
2. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070
基金项目:教育部科学技术研究项目;湖北省自然科学基金
摘    要:采用CH4/Ar偈气源系统,以Si(111)为基片在微波等离子CVD系统中通过工艺的优化在350℃沉积了金刚石膜。研究了不同的基片预处理工艺、微波功率对金刚石结构的影响,用XRD、SEM等测试方法进行了表征,XRD测试结果表明金刚石膜中仍存在缺陷和杂质,SEM测试结果表明金刚石膜由200nm的球状颗粒组成,存在二次成核现象。

关 键 词:金刚石膜  低温  氩气
文章编号:1671-4431(2007)04-0049-03
修稿时间:2007-01-08

Low Temperature Depositing Diamond Films in Microwave Plasma CVD Method and Its Characterization
WANG Lin,WANG Yong-ming,LIU Gui-zhen,ZHOU Jian. Low Temperature Depositing Diamond Films in Microwave Plasma CVD Method and Its Characterization[J]. Journal of Wuhan University of Technology, 2007, 29(4): 49-52
Authors:WANG Lin  WANG Yong-ming  LIU Gui-zhen  ZHOU Jian
Abstract:
Keywords:MPCVD
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